mos ½ÇÇè°úÁ¦ ±âŸ½ÇÇè °Ë»ö°á°ú
8 °Ç (1/1 ÂÊ)
»ó¼¼Á¶°Ç 
 
ÆÄÀÏÁ¾·ù 
|
MOS CapacitorÀÇ Á¦ÀÛ ¹æ¹ý°ú Ư¼º¿Í C-VµîÀ» ÃøÁ¤ / ½ÇÇ賯¥: ³¯ ¾¾ :¸¼À½ ¿Â µµ : 27¡Æ ½À µµ : 43% 1. ½ÇÇè ¸ñÀû - MOS CapacitorÀÇ Á¦ÀÛ ¹æ¹ý°ú Ư¼ºÀ» ¾Ë¾Æº»´Ù. C-V µîÀ» ÃøÁ¤ÇÏ¿© ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÑ´Ù. 2. °ü·Ã Áö½Ä °ü·Ã parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit) MOS capacitor C-V ÀåÄ¡ Metal-oxide-P type Silicon MOS Caoacitor¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
18p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè9¿¹ºñº¸°í¼. MOSFETÀÇ Æ¯¼º / ½ÇÇè9. MOSFETÀÇ Æ¯¼º 1.½ÇÇè¸ñÀû a.¼ÒÀÚ ¹®ÅÎ Àü¾Ð°ú ¼ÒÀÚ Àüµµµµº¯¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º»´Ù b.MOS ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º °î¼±À» ÃøÁ¤Çغ¸°í À̸¦ ÅëÇؼ MOSÀÇ ¿©·¯ Ư¼º¿¡ ´ëÇØ ¾Ë¾Æº»´Ù 2.±âÃÊÀÌ·Ð Àü°è-È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ BJT¿Í ¸¶Âù°¡Áö·Î FET¿¡¼µµ µÎ ´ÜÀÚ»çÀÌÀÇ Àü¾ÐÀÌ Á¦ 3ÀÇ ´ÜÀÚ¿¡ È帣´Â Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÑ´Ù µû¶ó¼ FET´Â ÁõÆø±â³ª ½ºÀ§Ä¡·Î »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
6p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè8°á°úº¸°í¼. MOSFETÀÇ Æ¯¼º / ÀüÀÚȸ·Î ¼³°è ¹× ½ÇÇè `½ÇÇè 8. MOSFETÀÇ Æ¯¼º` °á°úº¸°í¼ 1. ½ÇÇè ¸ñÀû 1. ¼ÒÀÚ ¹®ÅÎ Àü¾Ð°ú ¼ÒÀÚ Àüµµµµ º¯¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º»´Ù. 2. MOS ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º Ä¿ºê¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º¸°í, À̸¦ ÅëÇؼ MOSÀÇ ¿©·¯ Ư¼º¿¡ ´ëÇØ ¾Ë¾Æº»´Ù. 2. ½ÇÇè °á°ú Ãâ·Â Ư¼º (mA) (mA) 3.5 1 0.020 3.1 10 0.007 3.5 2 0.188 3.2 10 0.036 3.5 3 0.289 3.3 10 0.118 3.5 4 0¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
3p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[·¹Æ÷Æ®] ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÄÇ»ÅͽÇÇè-SPI TWIÁ÷·ÄÅë½Å / ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÄÇ»ÅͽÇÇè 1. ½ÇÇè¸ñÀû -ATmega128ÀÇ SPI Á÷·ÄÅë½Å Æ÷Æ®¸¦ ÀÀ¿ëÇÑ Åë½Å ÇÁ·Î±×·¥ ÀÛ¼º ±â¼úÀ» ÀÍÈù´Ù. (1) OK-128Å°Æ®¿¡¼ SPI Á÷·ÄÅë½ÅÀ» ÅëÇÏ¿© AT93C56 EEPROM¿¡ µ¥ÀÌÅ͸¦ ¶óÀÌÆ® ¹× ¸®µåÇÏ´Â ÇÁ·Î±×·¥À» ÀÛ¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. -ATmega128ÀÇ TWI Á÷·ÄÅë½Å Æ÷Æ®¸¦ ÀÀ¿ëÇÑ Åë½Å ÇÁ·Î±×·¥ ÀÛ¼º ±â¼úÀ» ÀÍÈù´Ù. (1) OK-128Å°Æ®¿¡¼¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
19p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
Ȧ¼¾¼ÀÇ Àڷ¼± ¼¼±â¿¡ ÀÇÇÑ µ¿ÀÛƯ¼º°ú ±× ¿ø¸® / [Ȧ¼¾¼] 1. ½ÇÇè¸ñÀû ½ÇÇèÀ» ÅëÇØ È¦¼¾¼ÀÇ Àڷ¼± ¼¼±â¿¡ ÀÇÇÑ µ¿ÀÛƯ¼º°ú ±× ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÒ¼ö ÀÖ´Ù. 2. Ȧ¼¾¼ÀÇ Á¤¸® 1) Hall IC Si Ȧ ¼ÒÀÚ´Â ÀÚ°è °¨µµ°¡ 10~20mV/KOe Á¤µµÀÌ°í, ´Ù¸¥ Àç·á¸¦ »ç¿ëÇÑ °Íº¸´Ù °¨µµ°¡ ³·Àº °áÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù. ÀÌ °áÁ¡À» °³¼±Çϱâ À§ÇØ IC ±â¼úÀ» »ç¿ëÇØ ½ÅÈ£ ó¸® ȸ·Î¸¦ ¼¾¼¿Í ÀÏÃ¼È ½ÃŲ °ÍÀÌ Si ¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
4p age   | 
1,200 ¿ø
|
|
|
|
|
|
HALL[Ȧ] IC ¼¾¼º¸°í¼ / 1. ½ÇÇè¸ñÀû ½ÇÇèÀ» ÅëÇØ HALL ICÀÇ Àڷ¼± ¼¼±â¿¡ ÀÇÇÑ µ¿ÀÛƯ¼º°ú ±× ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. 2. ½ÇÇèÀÌ·Ð 1) Hall IC Si Ȧ ¼ÒÀÚ´Â ÀÚ°è °¨µµ°¡ 10~20mV/KOe Á¤µµÀÌ°í, ´Ù¸¥ Àç·á¸¦ »ç¿ëÇÑ °Íº¸´Ù °¨µµ°¡ ³·Àº °áÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù. ÀÌ °áÁ¡À» °³¼±Çϱâ À§ÇØ IC ±â¼úÀ» »ç¿ëÇØ ½ÅÈ£ ó¸® ȸ·Î¸¦ ¼¾¼¿Í ÀÏÃ¼È ½ÃŲ °ÍÀÌ Si Hall ICÀÌ´Ù. ÇöÀç ¸¹Àº ¿Âµµ ¼¾¼, ¾Ð·Â¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
6p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
cascode Cascode±¸Á¶ÀÇ ÁõÆø±â¸¦ ÀÌÇØÇÏ°í, 2´Ü ÁõÆø ½ÃÅ°°í Pspice¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» ½ÇÇàÇÏ°í ÀúÇ×°ª¿¡ µû¸¥ ÁõÆøÁ¤µµ¸¦ ºÐ¼®ÇÕ´Ï´Ù. / 1´Ü Àü¾ÐÀ̵æ() => 2´Ü Àü¾ÐÀ̵æ() common-source + common-gate À̵æÀº µÎ ȸ·ÎÀÇ Àü¾ÐÀ̵æÀÇ °ö / °á°úº¸°í¼_ Cascode Amp 1. ½ÇÇè ¸ñÀû Cascode±¸Á¶ÀÇ ÁõÆø±â¸¦ ÀÌÇØÇÏ°í, 2´Ü ÁõÆø ½ÃÅ°°í Pspice¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ½Ã¹Ä·¹À̼ǡ¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
2p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
XRD¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¹ÌÁöÀÇ ½Ã·á Á¤·®Á¤¼º ºÐ¼® / ¸ñÂ÷ 1. ½ÇÇè¸ñÀû 2. ¹è°æÀÌ·Ð 3. ½ÇÇè¹æ¹ý 4. ¿¹»ó°á°ú 5. XRDÀÇ È°¿ë 6. Á¶¿øÀÇ ¿ªÇÒ 7. JCPDS(ICDD) FILE 8. Âü°í¹®Çå XRD¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¹ÌÁöÀÇ ½Ã·á Á¤·®/Á¤¼º ºÐ¼® 1. ½ÇÇè¸ñÀû X¼±Àº ÆÄÀåÀÌ 0.01~100¡ÊÁ¤µµÀÇ ÀüÀÚ±âÆÄÀÌ´Ù. º» ½ÇÇè¿¡¼ ÀÌ¿ëÇÏ°Ô µÉ X-Ray Diffraction¹ý(ÀÌÇÏ XRD)Àº X¼±ÀÇ ÆÄÀåÀÌ ¿øÀÚ ¹× ÀÌ¿ÂÀÇ Å©±â, ȤÀº ¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
29p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|