? ½ÇÇè ³¯Â¥:
³¯ ¾¾ : ¸¼À½
¿Â µµ : 27¡Æ
½À µµ : 43%
1. ½ÇÇè ¸ñÀû
- MOS CapacitorÀÇ Á¦ÀÛ ¹æ¹ý°ú Ư¼ºÀ» ¾Ë¾Æº»´Ù.
C-V µîÀ» ÃøÁ¤ÇÏ¿© ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÑ´Ù.
2. °ü·Ã Áö½Ä
°ü·Ã parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor
C-V ÀåÄ¡
Metal-oxide-P type Silicon
MOS Caoacitor´Â Àü°è¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¼ÒÀÚÁß ÇϳªÀ̸ç, ±×·¡¼ ÀϹÝÀûÀ¸·Î MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconductor Field-Effect-Transistor)¶ó°í ºÒ¸°´Ù. ´ÜÀÚ¼ö¿¡¼ °°ÀÌ 3´ÜÀÚ ¼ÒÀÚÀÎ BJT¿Í´Â ´Þ¸® MOSFET¿¡¼´Â ´Ù¼öij¸®¾î¿¡ ÀÇÇØ Àü·ù°¡ Á¶ÀýµÇ¸ç, ÇϳªÀÇ Ä³¸®¾î¸¸À» ¾²°Ô µÇ¾î ´Ü±Ø¼º(unipolar) ¼ÒÀÚ¶ó°íµµ ÇÑ´Ù. ±×¸®°í MOSFETÀº Á¦¾îÀü¾Ð(Gate voltage)ÀÌ ±âÆÇÀÇ Á¾·ù°¡ p-typeÀÎ °æ¿ì¿¡´Â ¼ø¹æÇâ Àü¾ÐÀ¸·Î n-typeÀÎ °æ¿ì¿¡´Â ¿ª¹æÇâ Àü¾ÐÀ¸·Î ¾²À̸ç, Àüµµ»óÅÂ¿Í ºñÀüµµ»óÅ »çÀÌ¿¡¼ Á¦¾îµÇ´Â ½ºÀ§ÄªÀÛ¿ëÀ» ½ÃÅ°´Â µ¥ ¸Å¿ì ÀûÇÕÇؼ µðÁöÅÐȸ·Î¿¡¼ À¯¿ëÇÏ°Ô »ç¿ëµÈ´Ù. ¶ÇÇÑ °øÁ¤»óÀ¸·Î´Â BJTº¸´Ù ´ÜÀ§ ¸éÀû´ç ÀÛ¾÷ ¸éÀûÀÌ ÈξÀ Àû¾î¼ ´ë±Ô¸ð ÁýÀûȸ·Î(VLSI)¼³°è½Ã¡¦(»ý·«)
(1) ±âº»µ¿ÀÛ
(2) ÀÌ»óÀû MOS Capacitor
¨ç
¨è
¨é
¨ê
¨ë
|