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| 실험10예비보고서. 소스 공통 증폭기 / 실험10. 소스 공통 증폭기 실험 목적 1. MOSFET의 드레인(drain)특성을 실험적으로 결정한다. 2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다. 3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다. 기초 이론 ① JFET / MOSFET ◆ JFET(Junction FET) ☞ 역방향 바이어스 pn 접합으로 채널 전류를 제어하는 FET ◆ JFET와 MOSFET의 차… |
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| [공학]계측 및 센서 실험 - 홀IC센서 보고서 / 1. 실험목적 실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다. 2. 실험이론 1) Hall IC Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다. 현재 많… |
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| [공학,기술] 반도체공학 실험 - Metal Deposition / 실험 4 : Metal Deposition 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라 제품의 면저항에 어떤 영… |
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| [공학,기술] 반도체공정 실험 - Dry etching / 실험: Dry etching 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조… |
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| [공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) / 실험: Annealing(Silcidation) 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃, 8… |
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| 산화공정 실험보고서 / 산화공정 1. 실험목적 실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다… |
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| [공학,기술] 반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation / 실험 1 : Cleaning & Oxidation 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다. 2. 실험 방법 가. 실험 변수 Wafer Oxidation temperat… |
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| [공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography / 실험: Photo Lithography 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며… |
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