½ÇÇè 1 : Cleaning & Oxidation
1. ½ÇÇè ¸ñÀû
MOS CAPÀ» Á¦ÀÛÇÏ´Â ÀüüÀÇ °øÁ¤¿¡¼ ù ¹ø° °øÁ¤¿¡ ÇØ´çÇÏ´Â ¡®Wafer cleaning & Oxidation¡¯ °øÁ¤À» ½Ç½ÃÇÑ´Ù. »êÈ ¿Âµµ¸¦ °íÁ¤ÇÏ°í »êÈ ½Ã°£À» Á¶Á¤ ÇÏ¿´À» ¶§ Oxide ÃþÀÇ µÎ²² º¯È¿¡ ¾î¶² ¿µÇâÀ» ÁÖ´ÂÁö È®ÀÎÇÏ¿©º»´Ù.
2. ½ÇÇè ¹æ¹ý
°¡. ½ÇÇè º¯¼ö
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 ¥Øcm
1000¡É
2 hours
4 hours
6 hours
³ª. ½ÇÇè Áغñ¹°
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type ½Ã·á
´Ù. ½ÇÇè °úÁ¤
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) ¿ë¾×À» ÀÌ¿ëÇÏ¿© ±âÁ¸¿¡ Á¸ÀçÇÏ´Â OxideÃþ°ú WaferÀÇ
Ç¥¸é À¯±â¹°, ÀÌ¿Â, ±Ý¼Ó ¹°ÁúÀ» ÈÇÐÀûÀ¸·Î Á¦°ÅÇÑ´Ù.( :°è¸éÈ°¼ºÁ¦)
- Wafer¸¦ BOE ¿ë¾×(NH4F:H2O:°è¸éÈ°¼ºÁ¦)¿¡ 30ºÐ µ¿¾È ´ã±Ù´Ù.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI ¿ë¾×À» ÀÌ¿ëÇÏ¿© Ç󱺴Ù.
3) Spin Dryer
- 30ºÐ µ¿¾È 70¡¦(»ý·«)
4) ¼¼Á¤ ¿ë¾×ÀÇ ¿þÀÌÆÛ Ç¥¸é ºÎÂø »óÅ ȮÀÎ
5) Wet oxidation
6) EllipsometerÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© ÃþÀÇ thickness¸¦ ÃøÁ¤ÇÑ´Ù.
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