Measurement ·¹Æ÷Æ® °øÇбâ¼ú °Ë»ö°á°ú
26 °Ç (1/3 ÂÊ)
»ó¼¼Á¶°Ç 
 
ÆÄÀÏÁ¾·ù 
|
4-point resistivity measurements / ºñÀúÇ×°ªÀº ¹°Áú»ó¼öÀ̹ǷΠ¸ðµç Àç·á¿¡ µû¶ó ´Ù¸£´Ù. ÀÌ°ÍÀº °°Àº Àç·áÀÏ °æ¿ì °°Àº °ªÀ» °®´Â´Ù´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù. ¸ÕÀú 4-probe ÃøÁ¤¹ýÀ¸·Î ±¸ÇÑ ÀڷḦ º¸¸é µ¿ÀÏÇÑ Àç·áÀÏ °æ¿ì ±× °ªÀÌ ´ë·« 0.3À¸·Î ÀÏÁ¤ÇÑ °ÍÀ» º¼ ¼ö ÀÖ´Ù. (Data¿¡¼ µÎ²²Â÷¿øÀÇ °ªµéÀÇ À¯È¿¼ýÀÚ´Â 1~4 ° ÀÚ¸® »çÀÌÀÌ´Ù. µû¶ó¼ À¯È¿¼ýÀÚ°¡ 1 ° ÀÚ¸®¶ó°í ÇÏ¸é ±× °ªÀº 0.¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
5p age   | 
1,100 ¿ø
|
|
|
|
|
|
MTM (Methods Time Measurement) / Á¦Á¶°øÁ¤À̳ª ¾÷¹«¿¡¼ ±× ÀÛ¾÷¹æ¹ý¿¡´Â ºÒÇÊ¿äÇÑ µ¿ÀÛÀ¸·Î ÀÎÇÑ ÀÛ¾÷¼Õ½ÇÀÌ ÀÖÀ¸¹Ç·Î °³¼±µÇ¾î¾ß ÇÒ ¹®Á¦Á¡µéÀÌ ¸¹´Ù. Áï ºÒÇÊ¿äÇÑ ½Ã°£À» ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Â ÀÛ¾÷¹æ¹ý °³¼±À» À§ÇÑ Ç¥Áؽ𣼳Á¤¹ýÀº MTMÀÇ »ç¿ëÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ MTMÀº Ç¥ÁØÀڷḦ ÀÛ¼ºÇϱâ À§Çؼ °¡Àå À¯¿ëÇÏ¸ç °¡Àå ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ°í MTMÀ» »ç¿ëÇϸé ratingÀ̳ª ÇÊ¿ä¾ø´Ù´Â Å« ÀåÁ¡À» »ì¸± ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
18p age   | 
1,400 ¿ø
|
|
|
|
|
|
ÀüÀÚÆÄ °Å¸®ÀÇ ¿ø¸®[Electronic Distance Measurement Devices ;EDM] / 1)ÀüÀÚÆÄ(ï³í¸÷î) °Å¸®ÀÇ ¿ø¸®(Electronic Distance Measurement Devices ;EDM)ÀüÀÚÆÄ Ãø°ÅÀÇ·Î ÃøÁ¤ÇÏ°íÀÚ ÇÏ´Â 2Á¡°£¿¡ ÀüÀÚÆĸ¦ ¿Õº¹½ÃÅ°¸é ¹Ý»çÇÏ¿© µÇµ¹¾Æ¿À´Â ÀüÀÚÆÄÀÇ À§»ó(êÈßÓ)Àº °Å¸®¿¡ »óÀÀÇÏ¿© ÇöÀå¿¡¼ °Å¸®Ãø·®À» ½Ç½ÃÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î ÁöÇü¿¡ Á¿ìµÇ´Â ÀÏÀÌ ¾øÀÌ °Å¸®°¡ ÃøÁ¤µÇ´Â ÀÌÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù.1) EDMÃøÁ¤±â¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
5p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
º» ÀÚ·á´Â I-V measurement ½ÇÇè º¸°í¼ÀÔ´Ï´Ù. i-vmeasurement / I Introduction II.Carrier Transport Phenomena in general materials 1. Carrier drift 2. Carrier diffusion 3. Total current density IIII-V characteristics 1. Metal-Insulator(or Semiconductor) contact 1.1 Energy levels in crystals 1.2 Neutral contact 1.3 Blocking contact(Schottky contact) 1.4 Ohmic c¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
30p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
1. ¼·Ð 2. Measurement Error Study 3. GR&R ºÐ¼® 4. °á·Ð FileSize : 337K / 1. ¼·Ð 2. Measurement Error Study 3. GR&R ºÐ¼® 4. °á·Ð / Åë°èÀû °øÁ¤°ü¸® ÃßÁø½Ã µ¥ÀÌÅÍÀÇ ½Å·Ú¼º È®º¸´Â ¹«¾ùº¸´Ù Áß¿äÇϸç, À̸¦ À§ÇØ ¿© ·¯ °¡Áö Åë°èÀû ¹æ¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ±× Áß¿¡¼ ¹éÀç¿í°ú Á¶Áø³²(1996)¿¡¼ ¼³¸íÇÏ ´Â Measurement Error Study, GR&R(gauge repeatabil¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
16p age   | 
4,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
Àç°ø½Ç / 1. ¹ÝµµÃ¼ P-n Á¢ÇÕ¿¡ ´ëÇÑ ¼³¸í 2. ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü±âÀû Ư¼º¿¡ ´ëÇÑ ¼³¸í 3. žçÀüÁö¿Í LEDÀÇ ÀÛµ¿¿ø¸® 4. Hall Measurement¿Í 4-Point Probe ÃøÁ¤¿ø¸® 5. Hall Measurement¿Í 4-Point Probe·Î ÃøÁ¤ÇÑ ÀúÇ×ÀÌ ´Ù¸¥ ÀÌÀ¯ / 3. žçÀüÁö¿Í LEDÀÇ ÀÛµ¿¿ø¸® žçÀüÁö´Â ž翡³ÊÁö·Î Àü±â¸¦ ¸¸µé¾î ³»±â ¶§¹®¿¡ ÇÞºû¸¸ ÀÖÀ¸¸é µÈ´Ù. ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼ºÁúÀ» ÀÌ¿ëÇØ ºû¿¡³ÊÁö¸¦ Àü±â¿¡³ÊÁö·Î ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
22p age   | 
1,700 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥Çâ ¥±. ¿¬±¸ ¹æ¹ý ¹× ¹æÇâ -º¯¼ö¼³¸í Name Measurement Name Measurement ISACTIVE binary DEPOSIT ordinal ACCTTYPE binary EFFECTIVEDATE interval AUTOPAY binary INITMONTHLYFEE ord |
|
°øÇбâ¼ú  | 
26p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥#9702; Instruments ◦ Measurements ◦ Fourier Transform Spectrometers ∘ Inherent Advantages of Fourier Transforn Spectrometer ∘ Components of Fourier Transform Instruments ∘ Instrument Designs ◦ FT-IR Spectrometer ÃøÁ¤ ¼ø¼ / Àû¿Ü¼± Èí¼ö ºÐ±¤¹ýÀº ¹°ÁúÀÇ Àû¿Ü¼± Èí¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ¿© ºÐ¼®¿¡ ÀÌ¿ëÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù. Àû¿Ü¼± ¿µ¿ªÀº ÆÄ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
10p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
SPM °ü·Ã °³¹ß ±â¼ú·Î´Â LFM(Lateral Force Microscope): Ç¥¸éÀÇ ¸¶Âû·ÂÀ» Àç´Â ¿øÀÚÇö¹Ì°æ, FMM(Force Modulation Microscope): ½Ã·áÀÇ °æµµ(ÌãÓø)¸¦ Àç´Â ¿øÀÚÇö¹Ì°æ, PDM(Phase Detection Microscope) : ½Ã·áÀÇ Åº¼º ¹× Á¡¼ºµîÀ» Àç´Â ¿øÀÚÇö¹Ì°æ, MFM(Magnetic Force Microscope): ÀÚ±â·Â(í¸Ñ¨Õô)À» Àç´Â ¿øÀÚÇö¹Ì°æ, EFM(Electrostatic Force Microscope): ½Ã·áÀÇ Àü±âÀû Ư¼ºÀ» Àç´Â¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
8p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥ FRF Curves) - Á÷Á¢ ÃøÁ¤(Direct Measurement) ¡Ú °ø°£ ¸ðµ¨(Spatial Models) ¡Ú Mobility °ñ°Ý¼±°ú ½Ã½ºÅÛ ¸ðµ¨(Mobility skeletons and System Models) / ½Ã½ºÅÛ ¸ðµ¨ÀÇ 3°¡Áö ÁÖ¿äÇÑ ¹üÁÖ°¡ ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» »ó±âÇØ º¸ÀÚ. Áú·®, °¼º ¹× °¨¼è Ư¼º °ªÀ¸·Î ±¸¼ºµÈ °ø°£ ¸ðµ¨(Spatial model); °íÀ¯ ÁÖÆļö¿Í ¸ðµå ÇüÅ·Π±¸¼ºµÈ ¸ðµå ¸ðµ¨(Modal mode). ÀÏ·ÃÀÇ ÁÖÆļö ÀÀ´ä ÇÔ¼ö·Î¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
15p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|