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| 서강대학교 디지털논리회로실험 4주차 - Multiplexers, Three-state devices and Exclusive-OR / 1. 실험 목적 2. 실험 이론 3. 결과 분석 4. 토의 및 검토사항 5. 참고문헌 / 1. 실험 목적 디지털 논리 회로 실험의 4주차 내용은 멀티플렉서(Multiplexer), 3단계 장치(Three-state devices), 그리고 배타적 OR(Exclusive-OR) 게이트에 대한 심층적인 이해와 실습을 목표로 한다.… |
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| The Roles of Emoticons as Multifunctional Communicative Devices / This paper will highlight diverse communicative functions of emoticons. / 1. Introduction 2. Literature Review 3. General Discussion and Conclusion of Literature / As a significant part of electronic communication, there is little argument that emoticons have changed, even revolutionized, the … |
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| 전자파 거리의 원리[Electronic Distance Measurement Devices ;EDM] / 1)전자파(電磁波) 거리의 원리(Electronic Distance Measurement Devices ;EDM)전자파 측거의로 측정하고자 하는 2점간에 전자파를 왕복시키면 반사하여 되돌아오는 전자파의 위상(位相)은 거리에 상응하여 현장에서 거리측량을 실시하는 것으로 지형에 좌우되는 일이 없이 거리가 측정되는 이점이 있다.1) EDM측정기… |
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| Optoelectronic Materials & Devices / Retinal Prosthesis Optoelectronic Materials & Devices 9 Contents - Features operation principle, functions of a device, current status of its technol… |
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레포트 >
기타 |
24p age |
2,000 원
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| Semiconductor Device and Design - 9-10 / 1. Layout of the 1bit adder and subtracter 2. Function of the 1bit adder and subtracter 3. Function of the parallel adder circuit. 4. Layout of the parallel adder circuit. / 1. Layout of the 1bit adder and subtracter 1비트 덧셈기와 뺄셈기의 레이아웃은 디지털 회로 설계의 기본적인 구성 요소 중 하나이다. 1비트 덧셈… |
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레포트 >
기타 |
4p age |
3,000 원
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| Semiconductor Device and Design - 4, / 1. Diode’s fabrication Process 2. Capacitor’s fabrication Process 3. Difference between Bipolar process and Mosfet process 4. Bipolar process and design section drawing / 1. Diode’s fabrication Process 다이오드의 제조 과정은 여러 단계로 구성되며, 고순도의 재료와 정밀한 공정이 요구된다. 일반적으로 다이오드는 반… |
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| Semiconductor Device and Design - 6, / 1. FET(NMOS, PMOS) Process 2. Operation Principle of FET(NMOS, PMOS) 3. Latch-up Effect 4. Solution method of Latch-up Effect / 1. FET(NMOS, PMOS) Process FET, 즉 전계 효과 트랜지스터는 현대 전자 기기의 무수한 애플리케이션에서 핵심적인 역할을 한다. 특히 NMOS와 PMOS 트랜지스터는 CMOS(상보성 금속 산화막 반도체) 기술… |
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| Semiconductor Device and Design - 8 / 1. CMOS process design rules 2. The method of implementing the half-adder 3. Layout of the full-adder cell 4. parasitic circuit / 1. CMOS process design rules CMOS 공정 설계 규칙은 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 기술을 기반으로 하는 반도체 소자의 제조 과정에서 필수적으로 따라야 하는 지침들이다. 이러… |
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| Semiconductor Device and Design -5 / 1. Characteristic of transistor 2. Manufacture of diodes in semiconductor integrated circuits 3. CMOS process 4. N-well CMOS process / 1. Characteristic of transistor 트랜지스터는 현대 전자기기의 핵심 소자로, 전류를 증폭하거나 스위칭하는 기능을 수행한다. 트랜지스터의 가장 기본적인 형태는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJ… |
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| Semiconductor Device and Design - 1, / 1. Semiconductors, Conductors, and Nonconductors 2. Resistance, Inductor, and Capacitor 3. Silicon wafer manufacturing 4. Diffusion process and Ion implantation 5. Lithography / 1. Semiconductors, Conductors, and Nonconductors 반도체, 도체, 비도체는 전기 전도성과 관련된 물질의 세 가지 주요 유형이다. 이들은 전기적… |
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![전자파 거리의 원리[Electronic Distance Measurement Devices ;EDM]](/View/전자파 거리의 원리[Electronic Distance Measurement Devices ;EDM]_hwp_01_.gif)
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