디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과

1) 2-input NAND gate

a. Transient simulation result
2) 2-input NOR gate
a. Transient simulation result
3) 2-input XOR gate
a. Transient simulation result
1. DC analysis

DC 분석은 디지털 집적회로의 전기적 동작을 이해하는 데 중요한 역할을 한다. DC 분석을 통해 각 논리 게이트, 예를 들어 NAND, NOR, XOR 게이트의 정적 전압 및 전류 조건을 파악할 수 있다. 이 정보는 챔버에서 회로의 성능을 평가하고, 전압 레벨 간의 신뢰성을 확인하는 데 중요하다. 회로에서 사용되는 각 게이트는 입력 전압에 따라 특정한 출력 전압을 나타내며, 이는 회로의 논리적 동작을 결정짓는다. 일반적으로, DC 분석은 회로의 입력에 대한 출력의 전기적 응답을 측정하기 위해 고정된 입력 전압 값을 사용하여 수행된다. 예를 들어, NAND 게이트의 경우 입력이 HIGH(논리 일 때 출력은 LOW(논리 0)으로 나타나야 하며, 입력이 모두 LOW일 때 출력은 HIGH로 되어야 한다. 이러한 특성을 이해하기 위해, NAND 게이트의 시뮬레이션을 통해 전압의 상태를 기록해야 한다. 입력 A와 B가 모두 0V일 때, 출력은 Vdd(예를 들어, 5V)가 되어야 하고, 입력이 하나라도 …(생략)