Patterning and treatment of SiO2 thin films 예비보고서 A＋

1. 실험 목적

실험의 목적은 SiO2(이산화규소) 얇은 막의 패터닝 및 처리를 통해 그 특성과 응용 가능성을 제고하는 것이다. SiO2 얇은 막은 반도체, 광전자 및 나노기술 분야에서 많은 응용을 가지고 있으며, 특히 절연체로서의 역할이 중요하다. 이 실험에서는 다양한 제조 공정을 통해 SiO2 얇은 막을 성장시키고, 이후에 소정의 패턴을 형성하는 과정을 통해 요구되는 전기적 및 물리적 특성을 가지는 막을 제작할 예정이다. 첫째, SiO2 얇은 막을 형성하기 위한 공정으로는 화학 증착(CVD) 방법을 사용한다. 이 방법은 높은 품질의 SiO2 막을 균일하게 성장시킬 수 있으며, 다양한 두께 조절이 가능하다는 장점이 있다. 이를 통해 얇은 막의 두께와 균일성을 조절하여 최적의 성능을 발휘할 수 있는 기반을 마련하는 것이 목표이다. SiO2 막은 기판의 종류에 따라 그 특성이 달라질 수 있으므로, 다양한 기판에서의 성능을 비교 분석하여 가장 적합한 기판을 선정할 것이다. 둘째, 특정 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 및 식각 공정을 활용한다. 포토리소그래피는 패턴을 SiO2 얇은 막에 전사하는 과정으로, 이는 시료의 정밀성과 복잡성을 결정짓는 중요한 단계…(생략)