캡스톤 - 2020 capstone final 초고주파응용회로team11 TFET based SRAM bitcell design Leejaehyuk

I.INTRODUCTION

초고주파 응용 회로의 발전은 반도체 기술의 혁신적 변화에 크게 의존하고 있으며, 이러한 변화는 메모리 소자의 성능 향상에도 중요한 역할을 하고 있다. 특히, SRAM(Static Random-Access Memory)은 높은 속도와 낮은 전력 소비로 인해 임베디드 시스템과 같은 다양한 분야에서 광범위하게 사용되고 있다. 그러나, 전통적인 CMOS 기술에 기반한 SRAM은 소자의 축소와 함께 전력 소모의 문제와 성능 한계에 직면하게 되었다. 이를 해결하기 위한 여러 연구들이 진행되고 있으며, 그 중 TFET(Тunneling Field-Effect Transistor) 기술이 주목받고 있다. TFET는 전통적인 MOSFET와는 달리, 터널링 현상을 이용하여 전류를 제어하는 원리를 가지고 있어, 더욱 낮은 작동 전압과 높은 스위칭 속도를 제공할 수 있다. 이러한 특성은 SRAM 비트셀 디자인의 성능 개선에 기여할 수 있으며, 에너지 효율성을 극대화할 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 본 연구에서는 TFET 기반의 SRAM 비트셀 디자인을 목표로 하고 있으며, 이는 차세대 메모리 소자 개발에 있어 중요한 이정표가 될 것이다. TFET의 고유한 전류 전송 특성은 차세대 메모리 소자의 성능을 극대화할 …(생략)