반도체 공정 레포트 - Flash memory

1.Flash Memory

플래시 메모리는 비휘발성 데이터 저장 장치의 일종으로, 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 유지되는 특징을 가진다. 이 기술은 주로 NAND 플래시와 NOR 플래시 두 가지 타입으로 나뉘며, 각각의 구조와 특성에 따라 다양한 용도로 사용된다. 플래시 메모리는 전자 소자의 대중화와 정보 기술의 발전에 기여하며, 컴퓨터, 스마트폰, USB 드라이브, SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 등 다양한 장치에서 널리 활용되고 있다. 플래시 메모리는 전하를 저장하는 방식으로 동작하는데, 기본 단위는 셀이다. 각 셀은 문을 열고 닫는 효과를 통해 전하를 저장하거나 삭제할 수 있으며, 이는 트랜지스터와 부유 게이트로 이루어진 구조로 되어 있다. 특히 NAND 플래시는 셀들이 직렬로 연결되어 있어 높은 집적도를 가지며, 대용량 데이터 저장에 유리한 반면, NOR 플래시는 셀들이 병렬로 연결되어 있어 빠른 읽기 속도를 제공함으로써 프로그램 가능한 메모리 용도로 적합하다. 플래시 메모리는 여러 단계의 프로세스를 통해 데이터를 저장하고 읽어낸다. 데이터의 저장은 `프로그래밍` 단계에서 이루어지며, 이때 전하가 셀의 부유 게이트에 주입된다. 반대로 데이터…(생략)