FIB (Focused Ion Beam) 정리 및 발표자료 레포트

1. FIB 정의

FIB, 즉 Focused Ion Beam은 높은 에너지를 가진 이온 빔을 집중적으로 사용하여 다양한 물질을 미세하게 가공하거나 분석하는 기술이다. 이 기술은 전자 현미경과 함께 사용되는 경우가 많으며, 주로 반도체 제조, 재료 과학, 나노기술, 생물학적 샘플 준비 등 다양한 분야에서 활용된다. FIB는 양이온을 좁은 면적에 집중시켜 조사하기 때문에 고해상도의 가공이 가능하고, 표면의 물질을 정밀하게 제거하거나 변형할 수 있다. FIB 시스템은 일반적으로 이온, 전자학적 초점 장치, 진공 챔버 및 다양한 탐지 장치로 구성된다. 이온원에서 생성된 이온은 전자기 렌즈를 통해 좁게 집속되어 시료 표면으로 발사된다. 이온이 시료에 도달하면 물질과의 상호작용으로 인해 이온이 전달되는 힘으로 표면이 이탈하거나, 원소 분석을 위한 다양한 신호(전자, X선 등)를 생성하게 된다. 이러한 상호작용은 물질 표면의 원자나 분자를 효과적으로 제거할 수 있으며, 그 결과로 미세 가공이나 패턴 형성이 가능해진다. FIB의 장점 중 하나는 비접촉 가공이 가능하다는 것이다. 이는 시료에 물리적 접촉을 하지 않고도 고해상도 가공을 수행할 수 있는 가능성을 제공한다…(생략)