캡스톤 - 2020 capstone final 초고주파응용회로team11 TFET based SRAM bitcell design Leejaehyuk

I.INTRODUCTION

초고주파 응용회로의 발전은 현대 전자기술에서 중요한 변화를 이끌어왔으며, 이와 함께 새로운 회로 설계 기술이 요구되고 있다. 특히 전력 소모와 스위칭 속도를 최적화하는 것은 차세대 메모리 소자의 핵심 과제가 되고 있다. 이러한 배경 속에서, TFET(터널 필드 이펙트 트랜지스터)는 전통적인 MOSFET에 비해 낮은 온 전압으로 동작하면서도 높은 전류 전달 특성을 제공할 수 있는 잠재력을 지니고 있다. TFET는 전자와 홀의 양자 터널링 현상을 이용하여 동작하기 때문에, 소형화된 소자의 동작 전압을 획기적으로 낮출 수 있어 전력 소모를 극적으로 줄일 수 있는 가능성이 있다. SRAM(Static Random Access Memory) 비트셀 설계에 있어서는 반도체 메모리의 성능을 결정짓는 중요한 요소들이 존재한다. 기존의 SRAM은 높은 비용과 복잡한 제조 공정으로 인해 한계를 보이고 있으며, 이러한 문제를 해결하기 위한 새로운 접근 방법이 필요하다. TFET 기반 SRAM 비트셀 설계는 이러한 문제를 해결할 수 있는 혁신적인 기술로 자리잡을 수 있다. TFET의 높은 스위칭 속도와 낮은 전력 소모 특성 덕분에, 메모리 소자는 보다 향상된 성능과 효율성을 기…(생략)