리소그래피

2) E-Beam 리소그래피 (전자빔 리소그래피)
⇒E-Beam 리소그래피는 전자빔을 substrate에 주사하여 패터닝을 하는 방식이다. 컴퓨터를 통해서 설계된 디자인을 전자빔이 기판 위에 직접 옮기는 방식이므로 광파를 제어하는 광자격자 구조를 만드는데 결정적으로 유리한 특징을 가지고 있다.
EUV방식보다 더 미세한 패터닝을 할 수 있는 장점이 있지만 아직 양산에 어려움이 있고, 비용도 만만치 않은 단점이 있다.
장점과 단점을 자세히 살펴보면 우선 전자빔을 직접 제어하고 CAD 프로그램을 이용하여 패턴 모양을 임의적으로 쓰거나 수정할 수 있다는 장점이 있다. 별도의 마스크 제작을 위한 추가 비용이 없으며 높은 해상도를 얻을 수 있다. 전자빔의 에너지가 100keV일 경우, 전자의 파장은 3.7pm이므로 보통의 NA(Numerical Aperture)를 가정할 경우,해상도는 이론적으로 4nm까지 높일 수 있다고 한다.
단점은 광 리소그래피는 ～1xxxpixel을 투영하기 때문에 throughput이 매우 크지만 e-beam리소그래피는 Gaussian beam일 경우, 한번에 1 pixel을 투영함으로 throughput이 매우 작다는 것이다. 또한 전류가 클수록 space charge effect가 크게 나타나 해상도가 …(생략)