반도체 공정의 이해(Si base)

1. 반도체 Device 제작 과정(Si Base)
- p-type Si 기판에 산화막을 성장시킨다(Furnace).
※화합물은 CVD공정을 거쳐 산화막을 형성한다.
- Spin Coater를 통해 PR을 도포한다 .
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2. Oxidation
- Si Substrate에 dopant를 implant or diffusion 시킬때 보호막
역할 수행
- Device간의 Electricaly Isolation 기능(Field Oxide)
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3. Photo
- 반도체 Device 제작 공정은 여러 재질(Oxide, Metal, Impurity,
etc)을 원하는 패턴으로 여러 층을 형성해 가는 과정을 말한다.
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4. Etch ......
5. Metallization......
6. CVD ......
7. Ion Implantation......