Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)

2. FRAM 이란?
FRAM(Ferroelectric random access memory: 강유전체 메모리)는 읽기 쓰기가 모두 가능한 비 휘발성메모리로 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM에 미치지 못하기 때문에 동작속도는 떨어진다. 하지만 전원 공급이 끊겨도 강유전체가 가지고 있는 자발분극 특성 때문에 저장된 정보가 지워지지 않는 우수한 정보보존의 특성을 지니고 있다. 따라서 특별히 빠른 정보 입출력을 요하지 않는 연산기나 프로그램을 저장하는 메모리 등 정보의 쓰기는 빈번하지 않으나 저장된 정보의 유지가 중요한 기억장치에 아주 유용하다. 그리고 EEPROM에 비해서는 저전력으로 구동 시킬 수 있으며 정보의 입출력 횟수를 월등히 크게 할 수 있기 때문에 불휘발성 소자를 FRAM으로 대체할 수 있는 가능성도 충분하다.

강유전체 물질이 발견된 후로 기억소자 및 전기적 소자개발에 대한 연구가 계속되어 왔는데 최근 10여년 동안 반도체 기술의 획기적 발전과 특히 박막 성장 기술의 발전으로 강유전체 박막 연구는 전세계적으로 널리 진행되고 있다. 최근 들어 특…(생략)