³ª³ë °øÇнÇÇè ·¹Æ÷Æ®
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
¹ÙÀÌ¿À³ª³ëÇкÎ
1. Introduction
-Photoresist´Â ÀüÀÚ¼ÒÀÚÀÇ È¸·Î¿Í È»ó Çü¼º µî¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, IC, LSI, ÃÊLSIÀÇ ¹Ì¼¼ÇÏ°í º¹ÀâÇÑ È¸·Î ÆÐÅÏÀ» Á¦ÀÛÇϴµ¥ ÀÖ¾î¼ Çʼö ºÒ°¡°áÇÑ Àç·áÀÇ ÇϳªÀÌ´Ù. Photoresist´Â ºûÀ» ¹ÞÀ¸¸é ÈÇк¯È¸¦ ÀÏÀ¸Å°´Â Àç·á·Î ´ëÇ¥ÀûÀ¸·Î SU 8-50, AZ5214 µîÀÌ ÀÖ´Ù. À̹ø ½ÇÇèÀÇ Photoresist´Â AZ5214EÀÌ´Ù. ÀÌ ½ÇÇè¿¡ ¾Õ¼ ÁøÇàÇß´ø Photoresist½ÇÇè¿¡¼´Â SU 8-100À» »ç¿ëÇß¾ú´Âµ¥, ÀÌ´Â Á¡µµ°¡ ³Ê¹« Ä¿¼ wafer¿¡ spin coatingÀÌ Àß µÇÁö ¾Ê¾Ò¾ú´Ù. ±×·¯³ª À̹ø PhotoresistÀÎ AZ5214E´Â Á¡µµ°¡ ±×·¸°Ô Å©Áö ¾Ê¾Ò±â ¶§¹®¿¡ wafer¿¡ spin coatingÀÌ Àß µÇ¾ú´Ù. À̹ø ½ÇÇè¿¡¼ ¾Ë¾Æº¸°íÀÚ ÇÑ °ÍÀº negative¿Í positive PhotoresistÀÇ imageÂ÷ÀÌÀÌ´Ù. developÇϱâ Àü¿¡ bakeÀÇ Á¤µµ¿¡ µû¶ó negative image·Î ³ªÅ¸³ª´ÂÁö, positive image·Î ³ªÅ¸³ª´ÂÁö ¾Ë¾Æº¸´Â °ÍÀÌ À̹ø ½ÇÇèÀÇ ¸ñÀûÀÌ´Ù.
2. ½ÇÇè ÀÌ·Ð
-Photoresist´Â ºûÀ» Á¶»çÇϸé ÈÇÐ º¯È¸¦ ÀÏÀ¸Å°´Â ¼öÁö¸¦ ¸»Çϸç, Àڿܼ± ¿µ¿ª¿¡¼ °¡½Ã±¤¼± ¿µ¿ª ÆÄÀ塦(»ý·«)
3. Materials and Method.
¨ç Wafer¸¦ acetone°ú IPA·Î ±ú²ýÇÏ°Ô ¾Ä¾î³»°í Blower·Î °ÇÁ¶½ÃŲ´Ù.
¨è 200¡ÉÀÇ hot plate¿¡¼ 10ºÐ µ¿¾È °ÇÁ¶½ÃŲ ÈÄ Wafer¸¦ ½ÄÈù´Ù. ½ÄÈù ÈÄ Àý¹ÝÀ¸·Î ÂÉ°³ 2°³·Î ³ª´«´Ù. Çϳª´Â Positive photoresist, ´Ù¸¥ Çϳª´Â Negative photoresistÀÌ´Ù.
¨é 1¥ìmÀÇ µÎ²²·Î AZ5214E¸¦ spin coating ÇÑ´Ù. Spin speed´Â 5000rpmÀÌ°í TimeÀº 40secÀÌ´Ù.
¨ê Hot plate¿¡¼ 110¡É¿¡¼ 50ÃÊ µ¿¾È Bake ÇÑ´Ù.
¨ë µÎ Wafer ¸ðµÎ UV¸¦ ºñÃçÁØ´Ù. ±×¸®°í Positive´Â UV¸¦ ÂؾîÁØ ÈÄ ¹Ù·Î DevelopÀ» ÁøÇàÀ» ÇÏ°í, Negative´Â UV¸¦ ÂؾîÁØ ÈÄ ´Ù½Ã hot plate¿¡¼ Reversal bake¸¦ ÁøÇàÇÑ´Ù.
¨ì bake°¡ ³¡³ª¸é Negative photoresist¸¦ DevelopÀ» ÁøÇàÇÑ´Ù.
¨í »óÀÌ ¼±¸íÇØÁú ¶§±îÁö DevelopÀ» ÁøÇàÇÑ´Ù.
¨î »óÀÌ ¼±¸íÇØÁö¸é alpha stepÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© µÎ²²¸¦ ÃøÁ¤ÇÑ´Ù.
4. Result.
|