박막증착에 대해

학 반응에 의한 피막형성 방법도 있다.

4)광화학 반응법
레이저나 적외선 등 일정 파장의 빛을 반응기 내에 조재하는 물체에 조사함으로써 표면에 부착된 가스가 광학적으로 반응하여 층을 형성하는 방법이다.

열CVD
CVD중에서 열에너지에 의해 적당한 온도로 가열된 기판표면 또는 기상 중에서 원료 가스를 열분해하고 분해 생성물이나 화학반응에 의해서 박막을 형성하는 것을 열 CVD라고 한다.열 CVD는 박막형성시의 압력에 따라 압력이 대기압인 상압 CVD와 100 Pa정도의 감압인 경우의 감압 CVD(LPCVD:Low Pressure CVD)로 구별된다. CVD에서는 물질 이동속도와 표면 반응속도가 기판 위의 막의 퇴적 속도를 조절한다.

1)열 CVD의 장점
1.원료 가스나 반응계 조건의 설정에 따라 고순도의 박막이 형성된다.
2.피복성이 좋다
3.플라즈마 CVD와 비교하여 장치 구성이 간단하다.
4.플라즈마를 사용하지 않기 때문에 고속 입자의 충돌로 인한 손상이 없다.
5.조건에 따라 선택 성장이 가능하다.

2)열 CVD의 단점
1.성막 온도와 원료 가스에 제약이 있다.
2.저온엣서 형성한 막의 치밀성이 플라즈마 CVD법으로 형성한 막보다도 떨어 지는 점 등을 들 수 있다.

3)열 CVD 방식
열 CVD에서의 가열방법은 저항가열, 램프가열 ,고주파가열 등이 있다.
가열되는 부분에 관하여 히터 등으로 반응실 전체를 가열하는 핫월형 방법과 고주파나 적외선 램프 등으로 기판대만을 가열하고 반응실 내벽은 냉각수 등으로 냉각하는 콜드월형 방법으로 구분된다..



열CVD방식 장치의 개념도


플라즈마 CVD
플라즈마 CVD법은 집적회로, 광학, 태양열 발전ㄴ 및 반도체의 열차단 등에 응용되며, 피막 재료를 얻기 위하여 최근에 개발이 이루어진 공정이다. 플라즈마 CVD 기술은 원료 가스 플라즈마 속에서 생성된 활성 입자가 기판표면ㅇ에서의 화학 반응을 촉진하여 박막을 형성하는 기술이다. 일반적으로 상업화된 플라즈마

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