Á¦¸ñ : »êÈ °øÁ¤ (Oxidation)
¸ñÀû : ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶ °øÁ¤ Áß Çϳª·Î °í¿Â¿¡¼ »ê¼Ò³ª ¼öÁõ±â¸¦ ÁÖÀÔ½ÃÅ°°í ¿À» °¡ÇØ ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ Ç¥¸é¿¡ ¾ã°í ±ÕÀÏÇÑ ½Ç¸®ÄÜ »êȸ·À» Çü¼º ½ÃÅ°´Â °øÁ¤ÀÌ´Ù. ½Ç¸®ÄÜ »êȸ·Àº ½Ç¸®ÄÜ Ç¥¸é¿¡ ¿øÇÏÁö ¾Ê´Â ¿À¿°À» ¹æÁöÇÏ´Â ¿ªÇÒ »Ó ¾Æ´Ï¶ó ¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚ¿¡ ¼ ¸Å¿ì ¿ì¼öÇÑ Àý¿¬Ã¼·Î Àü·ù¿Í µµÇι°ÁúÀÇ À̵¿À» ¸·´Âµ¥ »ç¿ëµÇ´Â ¹°Áú·Î °íÇ°Áú ÀÇ SiO©ü¹Ú¸·À» ¼ºÀå½ÃÅ°´Â »êȱâ¼úÀº ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡¼ ¸Å¿ì Áß¿äÇÏ´Ù.
ÀÌ·Ð : µô-±×·ÎºêÀÇ ¿ »êÈ ¸ðµ¨ (Deal-Grove Model of Oxidation)
Si±âÆÇÀ» °í¿Â(1000¡É ÀüÈÄ)ÇÏ¿¡¼ »ê¼Ò µîÀÇ »êȼº °¡½º¿¡ ³ëÃâ½ÃÅ°¸é, SiÇ¥¸éÀÌ »êȵǾî SiO2 ¸·ÀÌ Çü¼ºµÈ´Ù. SiO2 ¸·ÀÇ Áú°ú µÎ²²¸¦ Á¦¾îÇϱâ À§Çؼ´Â »êȱⱸ¸¦ ¾Ë¾Æ¾ßÇÑ´Ù.
»ê¼ÒºÐÀÚ(O2)µîÀÇ »êÈ Á¾ÀÌ ¿ì¼± SiO2¸· Ç¥¸é¿¡ ÈíÂøÇÑ ÈÄ, SiO2¸· ÁßÀ» È®»ê¿¡ÀÇÇØ Åë°úÇÏ¿© Si ¿Í SiO2ÀÇ °è¸é¿¡ µµ´ÞÇÏ¸é ±×°÷¿¡¼ Si¿Í¹ÝÀÀ(»êÈ)ÇÏ¿© SiO2 °¡ Çü¼ºµÈ´Ù. ´Ù½Ã ¸»ÇØ SiO2 ³»¿¡¼ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ È®»êµµ´Â O2 ÀÇ È®»êµµº¸´Ù ¸Å¿ì ÀÛ¡¦(»ý·«)
¨ç H2SO4 ¿Í H2O2 ¸¦ 4:1·Î ¸¸µç ¿ë¾×¿¡ Si wafer¸¦ 100¡É, 1min µ¿¾È ´ã°¡ ³õ´Â´Ù.
¨è D.I (de-ionized) water·Î ÃæºÐÈ÷ Ç󱺴Ù.
¨é Si wafer¸¦ B.O.E¿¡ ³Ö¾î 10secµ¿¾È etchingÇÑ´Ù.
¨ê ´Ù½Ã D.I water·Î ÃæºÐÈ÷ Ç󱺴Ù.
¨ë Si waferÀÇ ¹°±â¸¦ Á¦°ÅÇÑ´Ù.
¨ç furnace¸¦ 1200¡É±îÁö ¿Ã¸°´Ù.
¨è Si wafer¸¦ furna
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