PMOS, NMOS, CMOS의 구성자연과학레포트

PMOS, NMOS, CMOS의 구성

레포트 > 자연과학

인 쇄

바로가기저장

파일 :

PMOS, NMOS, CMOS의 구성.hwp [Size : 906 Kbyte ]

분량 3 Page

가격 1,000 원

네이버 ID로
다운 받기

카카오 ID로
다운 받기

구글 ID로
다운 받기

페이스북 ID로
다운 받기

자료설명

PMOS, NMOS, CMOS의 구성의 구성에 관하여 사진과 이론.

목차/차례

1)PMOS

2)CMOS

본문내용
가)NMOS란?
N 채널 트랜지스터로 구성되고, P형 기판을 사용하며 전류 통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다. 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, 소스 전극과 드레인 전극 간에 전류 통로를 제어함으로써 동작하는 트랜지스터를 MOS 트랜지스터라고 한다.
나)PMOS란?
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다.

다)NMOS와 PMOS의 차이점

2)CMOS (complementary metal-oxide semiconductor)
가)CMOS란?
인버터 회로에 p-채널 트랜지스터와 n-채널 트랜지스터를 같이 구성하여 동작 속도는 늦지만 소비 전력이 아주 작은 반도체. 포켓 계산기나 손목시계 등의 휴대용 제품에 많이 사용된다.

본문/내용

PMOS, NMOS, CMOS의 구성

1)PMOS (p-channel metal-oxide semiconductor)&NMOS (n-channel metal-oxide semiconductor)

가)NMOS란?
N 채널 트랜지스터로 구성되고, P형 기판을 사용하며 전류 통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다. 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, 소스 전극과 드레인 전극 간에 전류 통로를 제어함으로써 동작하는 트랜지스터를 MOS 트랜지스터라고 한다.

나)PMOS란?
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다.
다)NMOS와 PMOS의 차이점
PMOS와 NMOS의 차이는 각각 p-Channel (n-type Si) 구성인지n-Channel(p-type si)에 구성되어 있는지의 차이다. 서로 다른 dophant로doping 된 기판 위에 형성된 MOS 구조이기에 Gate voltage도 반대로 작용하며 majority carrier도 각각 다르다.PMOS의 경우라면 n-type 기판에 형성된 p-channel을…(생략)

장바구니